針對(duì)上述問(wèn)題，西安交通大學(xué)材料學(xué)院功材中心設(shè)計(jì)出一種新型全無(wú)機(jī)柔性石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ GFET ），利用純機(jī)械應(yīng)變和鐵電薄膜 Pb 0.92 La 0.08 Zr 0.52 Ti 0.48 O 3 的撓曲電效應(yīng)成功地實(shí)現(xiàn)了石墨烯摻雜濃度的可控，發(fā)現(xiàn)石墨烯的狄拉克點(diǎn)（ V Dirac ）隨著 GFET 彎曲半徑（正向彎曲或反向彎曲）呈線性變化。相比于其他調(diào)控石墨烯摻雜的方法，本工作具有以下優(yōu)點(diǎn)： 1 ）避免了雜化摻雜對(duì)石墨烯造成的破壞以及化學(xué)修飾摻雜帶來(lái)的其他物質(zhì)吸附； 2 ）可逆、可控的； 3 ）柔性的?；谝陨系膬?yōu)點(diǎn)，我們所設(shè)計(jì)的全無(wú)機(jī)柔性石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管不僅可以通過(guò)彎曲機(jī)械應(yīng)力調(diào)控石墨烯摻雜，而且還可以根據(jù)柔性鐵電柵 GFET 的 V Dirac 變化來(lái)檢測(cè)樣品的彎曲狀態(tài)。

這項(xiàng)研究成果以“ Controlling the Dirac point voltage of graphene by mechanically bending the ferroelectric gate of graphene field effect transistor ” 題，被材料科學(xué)領(lǐng)域國(guó)際知名期刊 Materials Horizons （ IF=13.183 ）選為當(dāng)期內(nèi)封面發(fā)表。西安交通大學(xué)為該論文的第一作者和唯一通訊作者單位，材料學(xué)院馬春蕊副教授為通訊作者，和賈春林教授共同指導(dǎo)的博士生胡光亮為第一作者，參與該工作的還有西安交大劉明副教授，劉衛(wèi)華教授以及堪薩斯大學(xué)（吳朱迪） Judy Wu 教授。

該研究得到國(guó)家自然科學(xué)基金重大專項(xiàng)、國(guó)家“ 973 ”項(xiàng)目、國(guó)家青年基金等經(jīng)費(fèi)的支持。